黄绍显

名 人 简 介

黄绍显(1914.7.1-1989.8.10)，地质学家。山东墨县人。1940年毕业于西南联合大学。中国核工业总公司第三研究所副所长、高级工程师。从事地质工作40多年，在中国首次发现铬铁矿，填补了中国该矿种的空白，同时为中国普查与勘探铬铁矿培养了人才。三次到贺兰山区作区域地质调查，在没有地形图的……

黄荣辉

名 人 简 介

黄荣辉，气象学家。福建惠安人。1965年毕业于北京大学地球物理系。1968年中国科学院大气物理研究所研究生毕业。1983年获日本东京大学理学博士学位。中国科学院大气物理研究所副所长、研究员。从观测事实、动力理论和多层数值模式，对大气中准定常行星波形成、传播和异常机理进行研究，提出了准定常行星波在……

郑有炓

名 人 简 介

郑有炓，半导体材料与器件物理专家。生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出……

张效祥

名 人 简 介

张效祥，计算机专家。浙江海宁人。1943年毕业于武汉大学电机系。50年代末，领导中国第一台大型通用电子计算机的仿制，并在此后的35年中主持中国自行设计的从电子管、晶体管到大规模集成电路各代大型计算机的研制，为中国计算机事业的创建、开拓和发展起了重要作用。70年代中期，领导和直接参与并率先在中国开……

吴宏鑫

名 人 简 介

吴宏鑫，控制理论与控制工程专家。生于江苏丹徒。1965年毕业于清华大学自动控制系。现任中国空间技术研究院研究员。主要从事航天和工业领域的自适应控制和智能控制理论与应用研究。提出了“全系数自适应控制理论和方法”，这是一套完整的系统性和实用性很强的自适应控制理论和方法，对于一类对象在参数估计未收敛到……

吴德馨

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吴德馨，女，半导体器件和集成电路专家。河北乐亭人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算……

王阳元

名 人 简 介

王阳元，微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长。主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，对实践有重要的指……

王守武

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王守武，半导体器件物理学家。江苏苏州人。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷……

王守觉

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王守觉,半导体电子学家。原籍江苏苏州，生于上海。1949年毕业于上海同济大学。中国科学院半导体研究所研究员。1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，并在109工厂进行小批量生产，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959－1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶……

唐稚松

名 人 简 介

唐稚松，计算机科学与软件工程专家。湖南长沙人。1950年毕业于清华大学哲学系，1952年同系研究生毕业。中国科学院软件研究所研究员。60年代中从事自动机理论研究，证明计算机转移命令的许多结构性性质，如转移命令可用循环代替，它比Bohm－Jacopi定理早一年。70年代中从事结构程序设计与结构化语……